

華太電子功率芯片產品線掌握功率器件和模塊的核心設計、工藝及封裝技術。
產品系列
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IGBT
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650V,1200V 超級結技術,開關損耗低,芯片薄,工作頻率高; 混封半/全電流SiC SBD,更高開關頻率和效率; TO-247-3或TO-247P-3 標準封裝,TO-247-4L 封裝開爾文結構效率更優。
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SiC SBD 產品
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650V,1200V,1700V 接近于零的恢復損耗, 可實現高功率密度高效率; 采用MPS結構,具有優良的抗浪涌能力; 采用6''晶圓,交期6-8 周。
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SiC MOSFET 產品
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650V,1200V,1700V · 15mohm - 1ohm 采用高可靠性和高效率的開爾文結構封裝; 采用6''晶圓,成本更優; 適合于新能源汽車,充電樁,儲能DC/DC等應用。
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工業模塊
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650V 1200V IGBT 1200V SICMOS 低雜散電感,設計靈 活,用于光伏和工業電 源市場; 三電平,半橋,PIM拓撲; 電流10A-1000A。
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車規模塊
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650V 750V IGBT 1200V SICMOS 針對新能源汽車客戶的需求靈活訂制不同的車規產品; 單管、半橋和三相橋拓撲;電流300A-900A。