集成Doherty設計，覆蓋700M-5GHz應用頻率，峰值功率6~12W； 自主28V LDMOS 工藝平臺，全國產供應； 產品性能國際領先，已在國內外關鍵客戶大規模量產。
峰值功率20W-6,000W； 工作頻率10MHz-6GHz； 基于自主知識產權的12V、28V、50V LDMOS 工藝平臺開發，全國產供應； 封裝材料自主開發設計，具有低成本、高可靠性。
峰值功率50W到700W； 工作頻率最高支持6GHz； 第三代化合物半導體工藝，效率更高、工作帶寬寬； 封裝材料自主開發設計，具有低成本、高氣密性、高熱導率、高良率。
峰值功率最大支持20W； 工作頻段頻率覆蓋10M-10GHz; 基于自主知識產權的5V，12V和28V工藝平臺開發，全國產供應； 低成本、高性能的產品方案可應用于基站驅動、對講機功放等終端設備。
650V，1200V 超級結技術，開關損耗低，芯片薄，工作頻率高； 混封半/全電流SiC SBD，更高開關頻率和效率； TO-247-3或TO-247P-3 標準封裝，TO-247-4L 封裝開爾文
650V，1200V，1700V 接近于零的恢復損耗， 可實現高功率密度高效率； 采用MPS結構，具有優良的抗浪涌能力； 采用6''晶圓，交期6-8 周。
650V,1200V,1700V · 15mohm - 1ohm 采用高可靠性和高效率的開爾文結構封裝； 采用6''晶圓，成本更優； 適合于新能源汽車，充電樁，儲能DC/DC等應用。
650V 1200V IGBT 1200V SICMOS 低雜散電感，設計靈 活，用于光伏和工業電 源市場； 三電平,半橋,PIM拓撲； 電流10A-1000A。
650V 750V IGBT 1200V SICMOS 針對新能源汽車客戶的需求靈活訂制不同的車規產品； 單管、半橋和三相橋拓撲；電流300A-900A。
提供射頻核心器件，擁有國際領先的LDMOS 自主工藝和MMIC設計團隊，幫助客戶快速完成系統開發。
提供可靠高效優質的下一代功率半導體，縮短開發時間，同時實現超乎預期的功率密度和超低功率損耗，推動低碳發展。
提供高質量工業級半導體產品，令自動化設計盡可能簡單、高效、可靠。推進新一代工廠和樓宇自動化、能源、醫療保健和運輸系統。
針對關鍵的汽車電子系統，提供創新的汽車級半導體解決方案。華太已全面布局車規功率，車載芯片能力建設并陸續進入汽車尤其新能源汽車供應體系。
華太自主創新的LDMOS可實現低成本、高性能WiFi射頻功放產品，助力大功率WiFi路由器實現突破。
基于LDMOS工藝，實現了高功率，高魯棒性。華太2010年開始研究LDMOS工藝，同時引入全球頂尖芯片設計團隊，實現了高功率、高可靠性射頻解決方案。
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GaN 射頻功率晶體管
為通信基站應用設計開發的寬帶射頻功率晶體管
方便功放設計的內匹配設計
符合RoHS規范
